突破Si:H薄膜的效率“桎梏”，非晶硅太阳能电池取得了超25%的电池效率
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近年来，天下各地的工程师一直在开发种种新手艺，以更可一连地生产和贮存能源。这些手艺包括太阳能或光伏电池，这是一种可以将太阳光转换为电能的电气装备。
硅异质结(SHJ)太阳能电池和钙钛矿/SHJ串联太阳能电池是两种很有前途的太阳能电池。这两类太阳能电池都是用氢化非晶硅(a-Si:H)制造的，非晶硅是硅的一种非晶形式，也常用于制造薄膜晶体管、电池和液晶显示器。
A-Si:H由于其低缺陷密度、可调导电性和其他优点，已被用于制造光伏电池多年。由于这种质料的优势在很洪流平上取决于氢和硅在3D空间中的设置，工程师能够以高精度控制质料的微观结构，以制造高性能的器件。
已往，质料科学家曾试图使用类金属化学元素硼来掺杂非晶硅，以更有用地从太阳获取光线。然而，到现在为止，其中大大都都取得了糟糕和不可靠的效果。
中国科学院(CAS)、中卫新能源和阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)的研究职员推出了一种新战略，可以显著提高硼掺杂Si:H薄膜的效率。这一战略在《自然能源》(Nature Energy)杂志上揭晓的一篇论文中先容，实质上需要光浸泡薄膜。
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